Л.Н. Толстой Биография

Лев Никола́евич Толсто́й (28 августа (9 сентября) 1828(18280909), Ясная Поляна, Тульская губерния, Российская империя — 7 (20) ноября 1910, станция Астапово, Рязанская губерния, Российская империя), граф — один из наиболее широко известных русских писателей и мыслителей. Участник обороны Севастополя. Просветитель
, публицист, религиозный мыслитель, чьё авторитетное мнение послужило причиной возникновения нового религиозно-нравственного течения — толстовства. Член-корреспондент Императорской Академии наук (1873), почётный академик по разряду изящной словесности (1900).
Идеи ненасильственного сопротивления, изложенные Л. Н. Толстым в работе «Царство Божие внутри вас», оказали влияние на Махатму Ганди и Мартина Лютера Кинга.

Происхождение

 

Происходил из дворянского рода, известного, по легендарным источникам, с 1351 года. Его предок по отцовской линии, граф Пётр Андреевич Толстой, известен своей ролью в следствии над царевичем Алексеем Петровичем, за что был поставлен во главе Тайной канцелярии. Черты правнука Петра Андреевича, Ильи Андреевича, даны в «Войне и мире» добродушнейшему, непрактичному старому графу Ростову. Сын Ильи Андреевича, Николай Ильич Толстой (1794—1837), был отцом Льва Николаевича. Некоторыми свойствами характера и фактами биографии он был похож на отца Николеньки в «Детстве» и «Отрочестве» и отчасти на Николая Ростова в «Войне и мире». Однако в реальной жизни Николай Ильич отличался от Николая Ростова не только хорошим образованием, но и убеждениями, которые не позволяли служить при Николае. Участник заграничного похода русской армии против Наполеона, в том числе участвовал в «битве народов» у Лейпцига и побывал в плену у французов, после заключения мира вышел в отставку в чине подполковника Павлоградского гусарского полка. Вскоре после отставки вынужден был пойти на чиновничью службу, чтобы не оказаться в долговой тюрьме из-за долгов отца, казанского губернатора, умершего под следствием за служебные злоупотребления. Отрицательный пример отца помог выработать Николаю Ильичу свой жизненный идеал — частная независимая жизнь с семейными радостями^[5]. Чтобы привести свои расстроенные дела в порядок, Николай Ильич, как и Николай Ростов, женился на уже не очень молодой княжне из рода Волконских; брак был счастливый. У них было четыре сына: Николай, Сергей, Дмитрий, Лев и дочь Мария.
Дед Толстого по матери, екатерининский генерал, Николай Сергеевич Волконский, имел некоторое сходство с суровым ригористом — старым князем Болконским в «Войне и мире». Мать Льва Николаевича, похожая в некоторых отношениях на изображённую в «Войне и мире» княжну Марью, владела замечательным даром рассказа.
Кроме Волконских, Л. Н. Толстой состоял в близком родстве с некоторыми другими аристократическими родами: князьями Горчаковыми, Трубецкими и другими.

Транзистор

Транзистор - электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний.
В биполярных Т. (которые обычно называют просто Т.) ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Такой Т. представляет собой (рис. 1) монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью: дырочной (p) и электронной (n). В зависимости от порядка их чередования различают Т. p—n—p-типа и n—p—n-типа. Средняя область (её обычно делают очень тонкой) — порядка нескольких мкм, называется базой, две другие — эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами (р—n-переходами): эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП). От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы.
Рассмотрим физические процессы, происходящие в Т., на примере Т. n—p—n-типа (рис. 1, а). К ЭП прикладывают напряжение U_бэ, которое понижает потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшает его сопротивление электрическому току (то есть ЭП включают в направлении пропускания электрического тока, или в прямом направлении), а к КП — напряжение U_kб, повышающее потенциальный барьер перехода и увеличивающее его сопротивление (КП включают в направлении запирания или в обратном направлении). Под действием напряжения U_бэ через ЭП течёт ток i_э, который обусловлен главным образом перемещением (инжекцией) электронов из эмиттера в базу. Проникая сквозь базу в область КП, электроны захватываются его полем и втягиваются в коллектор. При этом через КП течёт коллекторный ток i_k. Однако не все инжектированные электроны достигают КП: часть их по пути рекомбинирует с основными носителями в базе — дырками (число рекомбинировавших электронов тем меньше, чем меньше толщина базы и концентрация дырок в ней). Так как в установившемся режиме количество дырок в базе постоянно, то это означает, что часть электронов уходит из базы в цепь ЭП, образуя ток базы i_б таким образом, i_э = i_k + i_б. Обычно i_б<< i_k, поэтому i_k " i_э и Di_k " Di_э. Величина a = Di_k/Di_э называется коэффициентом передачи тока (иногда — коэффициентом усиления по току), зависит от толщины базы и параметро  полупроводникового материала базы и для большинства Т. близка к 1. Всякое изменение U_бэ вызывает изменение i_э (в соответствии с вольтамперной характеристикой p—n-перехода) и, следовательно, i_k. Сопротивление КП велико, поэтому сопротивление нагрузки R_н в цепи КП можно выбрать достаточно большим, и тогда Di_k будет вызывать значительные изменение напряжения на нём. В результате на R_н можно получать электрические сигналы, мощность которых будет во много раз превосходить мощность, затраченную в цепи ЭП. Подобные же физические процессы происходят и в Т. р—n—p-типа (рис. 1, б), но в нём электроны и дырки меняются ролями, а полярности приложенных напряжений должны быть изменены на обратные. Эмиттер в Т. может выполнять функции коллектора, а коллектор — эмиттера (в симметричных Т.), для этого достаточно изменить полярность соответствующих напряжений.
В соответствии с механизмом переноса не основных носителей через базу различают бездрейфовые Т., в базе которых ускоряющее электрическое поле отсутствует и заряды переносятся от эмиттера к коллектору за счёт диффузии, и дрейфовые Т., в которых действуют одновременно два механизма переноса зарядов в базе: их диффузия и дрейф в электрическом поле. По электрическим характеристикам и областям применения различают Т. маломощные малошумящие (используются во входных цепях радиоэлектронных усилительных устройств), импульсные (в импульсных электронных системах), мощные генераторные (в радиопередающих устройствах), ключевые (в системах автоматического регулирования в качестве электронных ключей),фототранзисторы  (в устройствах, преобразующих световые сигналы в электрические с одновременным усилением последних) и специальные. Различают также низкочастотные Т. (в основном для работы в звуковом и ультразвуковом диапазонах частот), высокочастотные (до 300 Мгц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 Мгц).
В качестве полупроводниковых материалов для изготовления Т. используют преимущественно германий и кремний. В соответствии с технологией получения в кристалле зон с различными типами проводимости Т. делят на сплавные, диффузионные, конверсионные, сплавно-диффузионные, мезатранзисторы, эпитаксиальные, планарные  и планарно-эпитаксиальные. По конструктивному исполнению Т. подразделяются на Т. в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах и бескорпусныепоследние имеют временную защиту кристалла от воздействия внешней среды (тонкий слой лака, смолы, легкоплавкого стекла) и герметизируются совместно с устройством, в котором их устанавливают. Наибольшее распространение получили планарные и планарно-эпитаксиальные кремниевые Т.
С изобретением Т. наступил период миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры на базе достижений быстро развивающейся полупроводниковой электроники. По сравнению с радиоэлектронной аппаратурой первого поколения аналогичная по назначению радиоэлектронная аппаратура второго поколения (на полупроводниковых приборах, в том числе на Т.) имеет в десятки и сотни раз меньшие габариты и массу, более высокую надёжность и потребляет значительно меньшую электрическую мощность. Размеры полупроводникового элемента современного Т. весьма малы: даже в самых мощных Т. площадь кристалла не превышает нескольких мм².Надёжность работы Т. (определяется по среднему статистическому времени наработки на один отказ) характеризуется значениями ~10⁵ ч, достигая в отдельных случаях 10⁶ ч. В отличие от электронных ламп Т. могут работать при низких напряжениях источников питания (до нескольких десятых долей в), потребляя при этом токи в несколько мка. Мощные Т. работают при напряжениях 10—30 в и токах до нескольких десятков а, отдавая в нагрузку мощность до 100 вт и более.
Верхний предел диапазона частот усиливаемых Т. сигналов достигает 10 Ггц, что соответствует длине волны электромагнитных колебаний 3 см. По шумовым характеристикам в области низких частот Т. успешно конкурируют с малошумящимиэлектрометрическими лампами. В области частот до 1 Ггц Т. обеспечивают значение коэффициента шума не свыше 1,5—3,0 дб. На более высоких частотах коэффициент шума возрастает, достигая 6—10 дб на частотах 6—10 Ггц.
Т. является основным элементом современных микроэлектронных устройств. Успехи планарной технологии позволили создавать на одном кристалле полупроводника площадью 30—35 мм² электронные устройства, насчитывающие до нескольких десятков тыс. Т. Такие устройства, получившие название интегральных микросхем , являются основой радиоэлектронной аппаратуры третьего поколения. Примером такой аппаратуры могут служить наручные электронные часы, содержащие от 600 до 1500 Т., и карманные электронные вычислительные устройства (несколько тыс. т.). Переход к использованию ИС определил новое направление в конструировании и производстве малогабаритной и надёжной радиоэлектронной аппаратуры, получившее название микроэлектроники. Достоинства Т. в сочетании с достижениями технологии их производства позволяют создавать ЭВМ, насчитывающие до нескольких сотен тыс. элементов, размещать сложные электронные устройства на борту самолётов и космических летательных аппаратов, изготовлять малогабаритную радиоэлектронную аппаратуру для использования в самых различных областях промышленности, в медицине, быту и т.д. Наряду с достоинствами Т. (как и др. полупроводниковые приборы) имеют ряд недостатков, в первую очередь — ограниченный диапазон рабочих температур. Так, германиевые Т. работают при температурах не свыше 100 °С, кремниевые 200 °С. К недостаткам Т. относятся также существенные изменения их параметров с изменением рабочей температуры и довольно сильная чувствительность к ионизирующим излучениям.

Конденсатор

КОНДЕНСАТОР (электрический)

КОНДЕНСА́ТОР электрический (от лат. сondensator, — тот, кто уплотняет, сгущает), устройство, предназначенное для получения нужных величин электрической емкости и способное накапливать (перераспределять) электрические заряды.
Электрический конденсатор состоит из двух (иногда более) подвижных или неподвижных проводящих электродов (обкладок), разделенных диэлектриком. Обкладки должны иметь такую геометрическую форму и быть так расположены друг относительно друга, чтобы созданное ими электрическое поле было сосредоточено в пространстве между ними. Как правило, расстояние между обкладками, равное толщине диэлектрика, мало по сравнению с линейными размерами обкладок. Поэтому электрическое поле, возникающее при подключении обкладок к источнику с напряжением U, практически полностью сосредоточено между обкладками. При этом частичные собственные емкости электрических обкладок пренебрежимо малы.
Таким образом, конденсатором называют систему, состоящую, как правило, из двух разноименно заряженных проводников, при этом заряд, который надо перенести с одного проводника на другой, чтобы зарядить один из них отрицательно, а другой положительно, называется зарядом конденсатора. Разность потенциалов U между обкладками конденсатора прямо пропорциональна величине заряда Q, находящегося на каждой из них:
Q=С^.U
С — коэффициент, характеризующий конденсатор, называется электрической емкостью конденсатора или емкостью.
Численно емкость электрического конденсатора С равна величине заряда Q одной из обкладок при напряжении, равном 1 вольт:
С = Q/U.
В СИ единицей емкости является фарад — 1 Ф. Емкостью, равной одному фараду, обладает такой конденсатор, между пластинами которого возникает разность потенциалов, равная одному вольту, при заряде на каждой из пластин, равном одному кулону.
Параметры, конструкция и область применения конденсаторов определяются диэлектриком, разделяющим его обкладки, поэтому основная классификация электрических конденсаторов проводится по типу диэлектрика. В зависимости от типа используемого диэлектрика конденсаторы могут быть воздушные, бумажные, слюдяные, керамические, электролитические и др.
По емкости различают конденсаторы постоянной емкости и конденсаторы переменной емкости. Конденсаторы переменной емкости и полупеременные изготовляются с механически и электрически управляемой емкостью. Изменение емкости в электрическом конденсаторе с механическим управлением достигается чаще всего изменением площади его обкладок или (реже) изменением зазора между обкладками. Простейший воздушный конденсатор переменной емкости состоит из двух изолированных систем металлических пластин, которые входят друг в друга при вращении рукоятки: одна группа (ротор) может перемещаться так, что ее пластины заходят в зазоры между пластинами другой группы (статора). Вдвигая и выдвигая одну систему пластин в другую можно изменить емкость конденсатора. Электрические конденсаторы переменной емкости с твердым диэлектриком (керамические, слюдяные, стеклянные, пленочные) в основном используются как полупеременные (подстрочные) с относительно небольшим изменением емкости. В настоящее время широко используются управляемые конденсаторы переменной емкости — варикапы и вариконды
Емкость электрического конденсатора зависит от диэлектрический проницаемости диэлектрика, заполняющего конденсатор, и от формы и размеров его обкладок. По форме обкладок различают плоские, цилиндрические, сферические конденсаторы.
Плоский конденсатор представляет собой две плоские пластины, расстояние между которыми d мало по сравнению с их линейными размерами. Это позволяет пренебречь малыми областями неоднородности электрического поля у краев пластин и считать, что все поле однородно и сосредоточено между пластинами. Заряд конденсатора Q — это заряд положительно заряженной пластины.
Емкость плоского конденсатора С:
С= ee_о S/d
S — площадь каждой обкладки или меньшей из них, d — расстояние между обкладками, e_о— электрическая постоянная, e — относительная диэлектрическая проницаемость вещества, находящегося между обкладками. Заполнение пространства между пластинами диэлектриком увеличивает емкость в e раз.
Энергия, запасенная заряженным до постоянного напряжения U плоским электрическим конденсатором, равна:
W = CU²/2.
Наряду с плоским конденсатором часто используется плоский многопластинчатый конденсатор, содержащий n обкладок, соединенных параллельно.
Емкость цилиндрического конденсатора, обкладки которого представляют собой два коаксиальных полых цилиндра, вставленные друг в друга, и разделенных диэлектриком, равна:
С = 2pee_oh¤ln(r₂/r₁),
где r₂ и r₁ — радиусы внешнего и внутреннего цилиндров, соответственно, а h — длина цилиндра. При этом не учитываются искажения однородности электрического поля у краев обкладок (краевой эффект), и потому эти расчеты дают несколько заниженные значения емкости C.
Емкость сферического конденсатора, представляющего собой вставленную одна в другую сферы, равна:
С = 4pee_or₂r₁/(r₂-r₁),
где r₂ и r₁ — радиусы внешней и внутренней сфер, соответственно.
Кроме емкости, электрический конденсатор обладает активным сопротивлением R и индуктивностью  L. Как правило, электрические конденсаторы используют на частотах, значительно меньших резонансной, на которых его индуктивностью обычно пренебрегают. Активное сопротивление конденсатора зависит от удельного сопротивления диэлектрика, материала обкладок и выводов, формы и размера конденсатора, частоты и температуры. Зависимость реактивного сопротивления электрических конденсаторов от частоты используется в электрических фильтрах.
При подключении обкладок к источнику постоянного напряжения, конденсатор заряжается до напряжения источника. Ток, продолжающий течь через конденсатор после его зарядки, называется током утечки.
Конденсаторы характеризуются пробивным напряжением — разностью потенциалов между обкладками конденсатора, при котором происходит пробой — возникает электрический разряд через слой диэлектрика в конденсаторе. Пробивное напряжение зависит от формы обкладок, свойств диэлектрика и его толщины.
Пластины конденсатора притягиваются друг к другу. Сила притяжения между пластинами конденсатора называется пондемоторной силой и рассчитывается по формуле:
F = -Q²/2ee_oS
Знак минус указывает, что пондемоторная сила является силой притяжения.
По применению различают электрические конденсаторы низкого напряжения низкой частоты (большая удельная емкость С), низкого напряжения высокой частоты (высокая С), высокого напряжения постоянного тока, высокого напряжения низкой и высокой частоты (высокая удельная реактивная мощность).
Для увеличения емкости и варьирования ее возможных значений конденсаторы соединяют в батареи, при этом используется их последовательное, параллельное или смешанное (состоящее из последовательного и параллельного) соединения.
Увеличение емкости достигается параллельным соединением конденсаторов в батарею. При этом конденсаторы соединяются одноименно заряженными обкладками. При таком соединении сохраняющейся величиной на всех конденсаторах является разность потенциалов, а заряды суммируются. Общая емкость батареи при параллельном соединении конденсаторов равна сумме емкостей отдельных конденсаторов:
С = С₁ + С₂ + …+ С_n
При последовательном соединении конденсаторов результирующая емкость всегда меньше наименьшей емкости, используемой в батарее, и на каждый конденсатор приходится лишь часть разности потенциалов клемм батарей, что значительно снижает возможность пробоя конденсатора. При последовательном соединений конденсаторов соединяются их разноименные обкладки. При этом складываются величины, обратные емкостям и результирующая емкость определяется следующим образом:
1/С = (1/С_n).
Электрические конденсаторы применяются в электрических цепях (сосредоточенные емкости), электроэнергетике (компенсаторы реактивной мощности), импульсных генераторах напряжения, в измерительных целях (измерительные конденсаторы и емкостные датчики).

Михаил Лермонтов

ВЕСНА

Когда весной разбитый лед
Рекой взволнованной идет,
Когда среди полей местами
Чернеет голая земля
И мгла ложится облаками
На полуюные поля,—
Мечтанье злое грусть лелеет
В душе неопытной моей;
Гляжу, природа молодеет,
Но молодеть лишь только ей;
Ланит спокойных пламень алый
С собою время уведет,
И тот, кто так страдал, бывало,
Любви к ней в сердце не найдет.

РОДИНА
Люблю отчизну я, но странною любовью!
Не победит ее рассудок мой.
Ни слава, купленная кровью,
Ни полный гордого доверия покой,
Ни темной старины заветные преданья
Не шевелят во мне отрадного мечтанья.

Но я люблю - за что, не знаю сам -
Ее степей холодное молчанье,
Ее лесов безбрежных колыханье,
Разливы рек ее, подобные морям;
Проселочным путем люблю скакать в телеге
И, взором медленным пронзая ночи тень,
Встречать по сторонам, вздыхая о ночлеге,
Дрожащие огни печальных деревень;
Люблю дымок спаленной жнивы,
В степи ночующий обоз
И на холме средь желтой нивы
Чету белеющих берез.
С отрадой, многим незнакомой,
Я вижу полное гумно,
Избу, покрытую соломой,
С резными ставнями окно;
И в праздник, вечером росистым,
Смотреть до полночи готов
На пляску с топаньем и свистом
Под говор пьяных мужичков.

Некоторые стихи Александра Пушкина

Я памятник себе воздвиг нерукотворный

Я памятник себе воздвиг нерукотворный,
К нему не зарастёт народная тропа,
Вознёсся выше он главою непокорной
Александрийского столпа.

Нет, весь я не умру - душа в заветной лире
Мой прах переживёт и тлeнья убежит -
И славен буду я, доколь в подлунном мире
Жив будет хоть один пиит.

Слух обо мне пройдёт по всей Руси великой,
И назовёт меня всяк сущий в ней язык,
И гордый внук славян, и финн, и ныне дикий
Тунгус, и друг степей калмык.

И долго буду тем любезен я народу,
Что чувства добрые я лирой пробуждал,
Что в мой жестокий век восславил я свободу
И милость к падшим призывал.

Веленью бoжию, о муза, будь послушна,
Обиды не страшась, не требуя венца;
Хвалу и клевету приeмли равнодушно
И не оспаривай глупца.
1836 Пушкин А.С

Пророк

Духовной жаждою томим,
В пустыне мрачной я влачился,
И шестикрылый серафим
На перепутье мне явился.
Перстами легкими как сон
Моих зениц коснулся он:
Отверзлись вещие зеницы,
Как у испуганной орлицы.
Моих ушей коснулся он,
И их наполнил шум и звон:
И внял я неба содроганье,
И горний ангелов полет,
И гад морских подводный ход,
И дольней лозы прозябанье.
И он к устам моим приник,
И вырвал грешный мой язык,
И празднословный и лукавый,
И жало мудрыя змеи
В уста замершие мои
Вложил десницею кровавой.
И он мне грудь рассек мечом,
И сердце трепетное вынул,
И угль, пылающий огнем,
Во грудь отверстую водвинул.
Как труп в пустыне я лежал,
И бога глас ко мне воззвал:
"Востань, пророк, и виждь, и внемли,
Исполнись волею моей
И, обходя моря и земли,
Глаголом жги сердца людей."

Зимняя дорога

Сквозь волнистые туманы
Пробирается луна,
На печальные поляны
Льет печально свет она.

По дороге зимней, скучной
Тройка борзая бежит,
Колокольчик однозвучный
Утомительно гремит.

Что-то слышится родное
В долгих песнях ямщика:
То разгулье удалое,
То сердечная тоска...

Ни огня, ни черной хаты...
Глушь и снег... Навстречу мне
Только версты полосаты
Попадаются одне.

Скучно, грустно... Завтра, Нина,
Завтра, к милой возвратясь,
Я забудусь у камина,
Загляжусь не наглядясь.

Звучно стрелка часовая
Мерный круг свой совершит,
И, докучных удаляя,
Полночь нас не разлучит.

Грустно, Нина: путь мой скучен,
Дремля смолкнул мой ямщик,
Колокольчик однозвучен,
Отуманен лунный лик.

Десятая заповедь

Добра чужого не желать
Ты, Боже, мне повелеваешь;
Но меру сил моих ты знаешь -
Мне ль нежным чувством управлять?
Обидеть друга не желаю,
И не хочу его села,
Не нужно мне его вола,
На всё спокойно я взираю:
Ни дом его, ни скот, ни раб,
Не лестна мне вся благостыня.
Но ежели его рабыня
Прелестна... Господи! я слаб!
И ежели его подруга
Мила, как ангел во плоти,-
О Боже праведный! прости
Мне зависть ко блаженству друга.
Кто сердцем мог повелевать?
Кто раб усилий бесполезных?
Как можно не любить любезных?
Как райских благ не пожелать?
Смотрю, томлюся и вздыхаю,
Но строгий долг умею чтить,
Страшусь желаньям сердца льстить,
Молчу... и втайне я страдаю.

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Перейти к: навигация, поиск

У этого термина существуют и другие значения, см. Электроника (значения).

В Викисловаре есть статья «электроника»

Электро́ника (от греч. Ηλεκτρόνιο — электрон) — понятие, включающее в себя следующее.

• в физике — область, в которой изучаются процессы, происходящие с заряженными частицами в вакууме, газах, жидкостях и твердых телах.
• в технике — электронные приборы и устройства, принцип действия которых основан на взаимодействии заряженных частиц с электромагнитными полями и используется для преобразования электромагнитной энергии (например для передачи, обработки и хранения информации). Наиболее характерные виды таких преобразований: генерирование, усиление, приём электромагнитных колебаний с частотой до 10¹² Гц, а также инфракрасного, видимого, ультрафиолетового и рентгеновского излучений (10¹² — 10²⁰ Гц). Возможность таких преобразований обусловлена малой инерционностью электрона.^[1]
• в классификации изделий — класс устройств, потребляющих электрическую энергию, содержащих логические элементы, и, как правило, обрабатывающих некоторую информацию. Примерами электроники могут быть калькулятор, компьютер, телевизор и тому подобные устройства.